交大-UCB國際頂尖異質整合綠色電子研究中心相關 (1)
化合物半導體、鍺與矽晶異質介面及材料研究

由於矽材料的低成本及高的複製率(reproducibility),因此適合於製作出大尺寸的晶片,大幅提升IC chip密度及速度,降低生產成本。 然而,以矽為材料的電晶體微縮至20 奈米,出現了很多物理極限,無法由技術的精進來克服。因此,擁有更好特性的材料,如III-V 化合物半導體等漸受到重視。 但化合物材料無法如矽晶片一樣,可以建立可靠的大尺寸晶片製程,完成小元件的製作。本研究計畫針對以上的問題提出解決之道:

子計畫 1.
化合物半導體、鍺與矽晶異質介面及材料研究:尋求適當的材料,完成高品質的異質接陎成長。進而應用於電晶體的製作。
子計畫 2.
氧化閘極製程模組:將利用原子層沉積系統(ALD)尋找適合於III-V 與Ge 高介電常數閘極絕緣層。
子計畫 3.
異質整合(wafer bonding)III-V 基板與矽基板:可以同時結合III-V 基板與矽基板兩個性質與優點,並可與半導體積體電路系統整合。